金屬的電沉積過程是分步進(jìn)行的:首先是電活性物質(zhì)粒子遷移至陰極附近的外赫姆霍茲層,進(jìn)行電吸附,然后,陰極電荷傳遞至電極上吸附的部分去溶劑化離子或簡(jiǎn)單離子,形成吸附原子,最后,吸附原子在電極表面上遷移,直到并入晶格。上述的第一個(gè)過程都產(chǎn)生一定的過電位(分別為遷移過電位、
活化過電位和電結(jié)晶過電位)。只有在一定的過電位下,金屬的電沉積過程才具有足夠高的晶粒成核速率、中等電荷遷移速率及提足夠高的結(jié)晶過電位,從而保證鍍層平整致密光澤、與基體材料結(jié)合牢固。而恰當(dāng)?shù)碾婂兲砑觿┠軌蛱岣呓饘匐姵练e的過電位,為鍍層質(zhì)量提供有力的保障。
1、擴(kuò)散控制機(jī)理
在大多數(shù)情況下,添加劑向陰極的擴(kuò)散(而不是金屬離子的擴(kuò)散)決定著金屬的電沉積速率。這是因?yàn)榻饘匐x子的濃度一般為添加劑濃度的100～105倍,對(duì)金屬離子而言,電極反應(yīng)的電流密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于其極限電流密度。
在添加劑擴(kuò)散控制情況下,大多數(shù)添加劑粒子擴(kuò)散并吸附在電極表面張力較大的凸突處、活性部位及特殊的晶面上,致使電極表面吸附原子遷移到電極表面凹陷處并進(jìn)入晶格,從而起到整平光亮作用。
2、非擴(kuò)散控制機(jī)理
根據(jù)電鍍中占統(tǒng)治地位的非擴(kuò)散因素,可將添加劑的非擴(kuò)散控制機(jī)理分為電吸附機(jī)理、絡(luò)合物生成機(jī)理(包括離子橋機(jī)理)、離子對(duì)機(jī)理、改變赫姆霍茲電位機(jī)理、改變電極表面張力機(jī)理等多種。
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